Реферат на тему транзисторы по электротехнике

    Тензоэлектрические полупроводниковые приборы. Конструктивно тиристор имеет три или более p-n — переходов и три вывода. Таким способом можно управлять силой тока в правом запертом n—p-переходе с помощью левого p—n-перехода. Транзистор - это полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов, а также коммутации электрических цепей. Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.

    Если на пpавый пеpеход подать обpатное напpяжение, то он будет запеpт и чеpез него будет пpотекать очень малый обpатный ток. Подадим тепеpь пpямое на-пpяжение на левый p—n-пеpеход, тогда чеpез него начнёт пpоходить значительный пpямой ток.

    Реферат на тему транзисторы по электротехнике 1821115

    Одна из областей тpиода, напpимеp левая, содеpжит обычно в сотни pаз большее количество пpимеси p-типа, чем количество n-пpимеси в n-области. Поэтому прямой ток через p—n-пеpеход будет состоять почти исключительно из дыpок, движущихся слева напpаво.

    1513719

    Попав в n-область тpиода, дыpки, совеpшающие тепловое движение, диффундируют по направлению к n—p-переходу, но частично успевают претерпеть рекомбинацию со свободными электронами n-области. Но если n-область узка и свободных электронов в ней не слишком много не ярко выраженный проводник n-типато большинство дырок достигнет второго перехода и, попав в не-го, переместится его полем в правую p-область.

    Если при отсутствии напряжения между точками а и б обратный ток в n— p- -переходе очень мал, то после появления напряжения на зажимах а и б этот ток поч-ти так же велик, как прямой ток в левом переходе. Между этими двумя областями возникает р-n-переход. Для предотвращения вредных воздействий воздуха и света кристалл германия помещают в герметический корпус.

    Достоинствами полупроводниковых диодов являются малые размеры и масса, длительный срок службы, высокая механическая прочность; недостатком - зависимость их параметров от температуры.

    Вольт - амперная характеристика диода при большом напряжении сила тока достигает наибольшей величины - ток насыщения имеет нелинейный характер, поэтому свойства диода оцениваются крутизной характеристики:. Свойства p-n-пеpехода можно реферат на тему транзисторы по электротехнике для создания усилителя электрических колебаний, называемого полупроводниковым триодом или транзистором. В полупроводниковом триоде две p-области кристалла разделяются узкой n-областью.

    Такой триод условно обозначают p-n-p. Можно делать и n-p-n триод, то есть разделять две n-области кристалла узкой p-областью рис. Триод p—n—p типа состоит из трех областей, крайние из которых обладают дырочной проводимостью, а средняя -электронной.

    Биполярные транзисторы

    К этим трем областям триода делаются самостоятельные контакты э, б и к, что позволяет подавать разные напряжения на левый p-n-пеpеход между контактами э и б и на правый n-p-пеpеход между контактами б и.

    Если на правый переход подать обратное напряжение, то он будет заперт и через него будет протекать очень малый обратный ток.

    Реферат на тему транзисторы по электротехнике 4729

    Подадим теперь прямое напряжение на левый p-n-пеpеход, тогда через него начнёт проходить значительный прямой ток. Одна из областей триода, например левая, содержит обычно в сотни раз большее количество примеси p-типа, чем количество n-пpимеси в n-области. Концентрация носителей заряда в эмиттере.

    Реферат на тему транзисторы по электротехнике 3999

    Принцип действия биполярного транзистора р-n-р- типа. Статический режим работы транзистора, предотвращение его перегрева. Схема простейшего усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером. Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п.

    Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора.

    Электроника шаг за шагом - Биполярный транзистор (Выпуск 5)

    Вольт-амперные характеристики триодного тиристора. Устройство и характеристики транзистора. Его типы, функции и технология изготовления.

    Назначение областей и электродов полупроводника. Разное по электротехнике. Реферат по информатике и телекоммуникациям. Диплом по информатике и телекоммуникациям. В зависимости от назначения полупроводниковые диоды подразделяют на выпрямительные, универсальные, импульсные, стабилитроны и стабисторы, туннельные и обращенные диоды, светодиоды и фотодиоды.

    Односторонняя проводимость определяет выпрямительные свойства диода. Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока низкой реферат на тему транзисторы по электротехнике обычно менее 50 кГц в постоянны, то есть для выпрямления.

    Их основными параметрами являются максимально допустимый прямой ток Iпр mах и максимально допустимое обратное напряжение Uo6p max. Данные параметры называют предельными — их превышение может частично или полностью вывести прибор из строя. С целью увеличения этих параметров изготавливают диодные столбы, сборки, матрицы, представляющие собой последовательно-параллальное, мостовое или другие соединения p-n-переходов.

    Универсальные диоды служат для выпрямления токов в широком диапазоне частот до нескольких сотен мегагерц. Параметры этих диодов те же, что и у выпрямительных, только вводятся еще дополнительные: максимальная рабочая частота мГц и емкость диода пФ. Импульсные диоды предназначены для преобразования импульсного сигнала, применяются в быстродействующих импульсных схемах. Требования, предъявляемые к этим диодам, связаны с обеспечением быстрой реакции прибора на импульсный характер подводимого напряжения - малым временем перехода диода из закрытого состояния в открытое и обратно.

    Стабилитроны - это полупроводниковые диоды, падение напряжения на которых мало зависит от протекающего тока. Служат для стабилизации напряжения. Варикапы - принцип действия основан на свойстве p-n-перехода изменять значение барьерной емкости при изменении на нем величины обратного напряжения. Применяются в качестве конденсаторов переменной емкости, управляемых напряжением. В схемах варикапы включаются в обратном направлении.

    Светодиоды - это полупроводниковые диоды, принцип действия которых основан на излучении p-n-переходом света при прохождении через него прямого тока. Фотодиоды — обратный ток зависит от освещенности p-n-перехода.

    Они заменяют электронные лампы во многих электрических цепях научной, промышленной и бытовой аппаратуры. При этом через переход протекает очень малый обратный ток, а всё напряжение батареи Б прикладывается к n-p-переходу. IGBT транзисторы.

    Диоды Шоттки — основаны на переходе металл-полупроводник, за счет чего обладают значительно более высоким быстродействием, нежели обычные диоды. Рисунок 2 — Условно-графическое обозначение диоды. Подробнее о диодах смотрите здесь:. Выпрямительные диоды. Силовые диоды.

    Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Транзистор позволяет регулировать ток в цепи от нуля до максимального значения. Москва г. Уменьшение пробивного напряжения. IGBT транзисторы.